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Different behavior of photoluminescence anisotropy in porous silicon layers made by polarized-light-assisted electrochemical etching
http://hdl.handle.net/10132/1799
http://hdl.handle.net/10132/179922ae242d-7737-4ccf-9015-17d807d5b21a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
koyama_AIP_APL2002.pdf (58.0 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-01-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Different behavior of photoluminescence anisotropy in porous silicon layers made by polarized-light-assisted electrochemical etching | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Hideki, Koyama
× Hideki, Koyama |
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| 書誌情報 |
APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 80, 号 6, p. 965-967, 発行日 2002-02-11 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00036951 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1449538 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | Copyright 2002 American Institute of Physics | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 関係URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://apl.aip.org/apl/ | |||||
| 関連名称 | http://apl.aip.org/apl/ | |||||
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Cite as
Hideki, Koyama, 2002, Different behavior of photoluminescence anisotropy in porous silicon layers made by polarized-light-assisted electrochemical etching: American Institute of Physics, 965–967 p.
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