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Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon
http://hdl.handle.net/10132/1795
http://hdl.handle.net/10132/17954b5b4fde-5969-4b6c-9949-142628f18c66
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
koyama_AIP_APL2000.pdf (53.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-01-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Hideki, Koyama
× Hideki, Koyama× Philippe, M. Fauchet |
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| 書誌情報 |
APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 77, 号 15, p. 2316-2318, 発行日 2000-10-09 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00036951 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1316068 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | Copyright 2000 American Institute of Physics. | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 関係URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://apl.aip.org/apl/ | |||||
| 関連名称 | http://apl.aip.org/apl/ | |||||
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Cite as
Hideki, Koyama, Philippe, M. Fauchet, 2000, Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon: American Institute of Physics, 2316–2318 p.
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